荷蘭政府早前決定跟隨美國，擴大限制半導體製造設備出口，中方曾批評此舉嚴重威脅全球半導體產業鏈，但中國工業和信息化部官網近日一項通知顯示，中國已取得重大技術突破，研發出深紫外光（DUV）光刻機，可生產8納米及以下晶片，若果屬實，日後或能減少被「卡脖子」。
工信部本月9日發布「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。根據目錄，積體電路生產裝備的其中一項是「氟化氬光刻機」（DUV光刻機），核心技術指標是「晶圓直徑300毫米，照明波長193納米，分辨率65納米以下，套刻功能8納米以下」，這些數據代表，中國自製的光刻機足可生產8納米及以下晶片。
中國自媒體：至少已填補空白
中國科技自媒體轉發有關消息，並謂中國自己的DUV光刻機終於來了，雖然與荷蘭艾司摩爾（ASML）光刻機存在代差，但至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機（EUV）。
美國是在月初宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制，荷蘭隔日跟進，擴大限制半導體製造設備出口，《路透社》指艾司摩爾的1970i與1980i兩款屬於中階的DUV光刻機輸出中國將受影響，因此，中國若能生產8納米及以下製程的DUV光刻機，未來絕大多數晶片製造將不用受制於艾司摩爾，但目前尚無中國官方與廠商宣布有關消息。
中國網民反應普遍「冷靜」，「是不是又像CPU一樣的，打磨一下」、「能公布的都是上一代的」、「尖端技術的沒必要公布，我們能用上就好了」、「華為手機的芯片（晶片）到底是誰生產的啊？保密做的這麼好」；也有人相當興奮，留言稱「打擊美國高科技企業」、「那個說中國永遠都造不出光刻機的大教授在哪？」。
編輯：李向陽（台北） 網編：池煥衡